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M2全譜直讀鋁合金光譜儀
詳細說明

M系列全譜直讀光譜儀采用國際標準的設(shè)計和制造工藝技術(shù),全數(shù)字化及互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)結(jié)合,運用高分辯率CMOS檢測器,精密設(shè)計的氬氣吹掃系統(tǒng),使儀器具有高的性能、低的成本、以及具竟爭力的價格。

M4應(yīng)用于多基體的、高性能的全譜直讀光譜儀

01 極其異的分析性能、非常緊湊的儀器結(jié)構(gòu)

02 用于多種基體、多種材料的分析,分析范圍覆蓋了幾乎所有的重要元素,可以滿足絕大多數(shù)現(xiàn)代鑄造業(yè)的應(yīng)用需求。

03 高亮度全息光柵具備3600/mm高刻線,使得分光系統(tǒng)具有高的分辯率。

04 氬氣吹掃光室配置了優(yōu)化設(shè)計的低流速吹氬系統(tǒng),既保證低的使用成本又保證的紫外區(qū)的透過率。

05 應(yīng)用高分辯率多CMOS讀出系統(tǒng),更低的暗電流、更好的檢出限、更高的穩(wěn)定性、更強的靈敏度。

06 全數(shù)字化的智能復(fù)合光源DDD技術(shù),充分滿足不同基體、不同樣品以及不同元素的激發(fā)要求。

07 一體式開放火花臺,可以滿足各種不同樣品結(jié)構(gòu)的分析。

08 配置多條工廠校正曲線及更多的材料分析方法和先進的解決方案。

09 可根據(jù)用戶的材料要求,延長標準曲線的測量上、下限。

精密設(shè)計的氬氣吹掃系統(tǒng)

光室密封性強,可保持內(nèi)部氬氣長期純凈。

光室空間優(yōu)化設(shè)計,降低氬氣消耗,有效節(jié)約產(chǎn)生成本。

低氬氣吹掃系統(tǒng),確保光室UV波段測量環(huán)境。

光室充氬免除復(fù)雜的真空系統(tǒng)。 

高分辯率CMOS檢測器實現(xiàn)全譜分析

譜線覆蓋了所有的重要元素,滿足所有基體和材料的分析。

高靈敏的紫外區(qū)檢測,對N的分析檢測更準確。

可有效選擇元素靈敏線,保證分析的準確度。

多峰擬合技術(shù),有效消除譜線干擾,實現(xiàn)精準測量。

分析軟件功能大

(1)基于Windows系統(tǒng)的多國語言的CCD全譜圖形化分析軟件,方便實用;

2)全方位管理的控制整個測量過程及為用戶提供大的數(shù)據(jù)處理能力和測試報告輸出能力;

3)儀器可配置多條工廠校正曲線及更多材質(zhì)分析及先進解決方案;

4)軟件實現(xiàn)全譜檢測、智能扣干擾、扣暗電流、背景和噪聲的算法,提高儀器的分析能力;

5)完備的自動系統(tǒng)診斷功能;

6)完善的數(shù)據(jù)庫管理功能,可方便查詢、匯總數(shù)據(jù);

7)智能校正算法,保證儀器穩(wěn)定可靠;

8)完備的譜線信息和干擾扣除算法,保證儀器分析更為精準;

9)適應(yīng)新的Windows操作系統(tǒng)。

應(yīng)用領(lǐng)域

主要技術(shù)參數(shù)

項目

M2

M4

檢測基體

單基體

多基體

光學(xué)系統(tǒng)

帕型-龍格結(jié)構(gòu)

帕型-龍格結(jié)構(gòu)

光室結(jié)構(gòu)

充氬方式

充氬循環(huán)方式

波長范圍

165-580nm

165-580nm(可擴展)

光柵焦距

150mm

300mm

光柵刻線

3600/mm

3600/mm

探 測 器

CMOS檢測器

CMOS檢測器

光源類型

可編程脈沖數(shù)字光源

可編程脈沖數(shù)字光源

儀器尺寸

643*450*270

714*558*270

儀器重量

30Kg

40Kg